Фототранзистор являє собою [[монокристал]]ічну [[напівпровідник]]ову пластину з [[GeГерманій|германію]] або [[SiКремній|кремнію]], в якій за допомогою особливих технологічних прийомів створено три області, які мають назву, як і у звичайному транзисторі, — [[емітер]], [[колектор]] і [[база]], причому остання, на відміну від [[транзистор]]а, як правило, виводу не має. [[Кристал]] вмонтовується в захисний корпус з прозорим вхідним вікном.
Включення фототранзистора у зовнішнє електричние коло виконується подібно до включенняаключенню біполярного транзистора за схемою зі [[Підсилювальний каскад зі спільним емітером|спільним емітером]] і нульовим струмом бази. При попаданні світла на базу (або колектор), на ній утворюються парні носії зарядів (електрони і дірки), які розділяються електричним полем колекторного переходу. В результаті чого у базовый області накопичуються основні носії, що призводить до зниження [[Потенціальний бар'єр|потенціального бар'єру]] емітерного переходу і збільшення (посилення) струму через Ф. в порівнянні зі струмом, обумовленим перенесенням лише тих носіїв, які утворилися безпосередньо під дією світла.
