DRAM: відмінності між версіями

[неперевірена версія][неперевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
мНемає опису редагування
м →‎Принцип роботи: clean up, replaced: представляє собою → являє собою
Рядок 38:
[[Файл:square array of mosfet cells read.png|thumb|250px|Принцип роботи DRAM читання, для простої матриці 4 на 4.]]
[[Файл:square array of mosfet cells write.png|thumb|250px|Принцип роботи DRAM запису, для простої матриці 4 на 4.]]
В сучасних комп'ютерах фізично DRAM-пам'ять представляєявляє собою [[Друкована плата|плату]] — модуль, на якому розміщуються [[Мікросхема|мікросхеми]] пам'яті зі спеціалізованим з'єднувачем для підключення до [[Материнська плата|материнської плати]]. Роль «комірок» відіграють [[конденсатор]]и та [[транзистор]]и, які розташовані всередині мікросхем пам'яті. Конденсатори заряджеються у випадку, коли в комірку заноситься одиничний біт, або розряжається у випадку, якщо в комірку заноситься нульовий біт. Транзистори потрібні для утримання [[заряд]]у всередині конденсатора. За відсутності подачі [[Електроенергія|електроенергії]] до оперативної пам'яті відбувається розряження конденсаторів і пам'ять спустошується. Ця динамічна зміна заряду конденсатора і є основним принципом роботи пам'яті типу DRAM.
Елементом пам'яті такого типу є чутливий [[підсилювач]] ({{lang-en|sense amp}}), який підключений до кожного із стовпців «прямокутника». Він реагує на слабкий потік [[електрон]]ів, які рухаються через відкриті транзистори із обкладинок конденсаторів, і зчитує цілком всю сторінку. Саме сторінки і є мінімальною порцією обміну із динамічною пам'яттю, тому що обмін даними із окремо взятою коміркою нереальний.