108 204
редагування
[неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
(доповнення) |
Іванко1 (обговорення | внесок) м (→Принцип дії: суміш розкладок за допомогою AWB) |
||
При протіканні через діод прямого струму відбувається інжекція електронів.
Процес самовільної рекомбінації інжектованих електронів, що відбувається, як в базовій області, так і в самому p-n переході, супроводжується їх переходом з високого енергетичного рівня на більш низький. Електрон після рекомбінації знаходиться у дуже нестабільному стані, оскільки він має зайву енергію (Евх,). В такому стані електрон довго перебувати не може. Він перейде на стаціонарну орбіту з нижчим енергетичним рівнем (Ест.) і випромінить квант світла. Тому
Не всі напівпровідникові матеріали ефективно випускають світло, при рекомбінації. Гарними випромінювачами є, як правило, прямозонні напівпровідники типу A<sup>III</sup>B<sup>V</sup> (наприклад, GaAs або InP) і A<sup>II</sup>B<sup>VI</sup> (наприклад, ZnSe або CdTe). Варіюючи склад напівпровідників, можна створювати світлодіоди різних довжин хвиль, — від ультрафіолету (GaN) до середнього інфрачервоного діапазону (PbS).
|