Світлодіод: відмінності між версіями

доповнення
(доповнення)
 
== Принцип дії ==
При протіканні через діод прямого струму відбувається інжекція електронів.
Як і в нормальному [[напівпровідниковий діод|напівпровідниковому діоді]], в світлодіоді є [[p-n перехід]]. При пропусканні електричного струму в прямому напрямку, носії заряду — [[електрон]]и і [[дірка (квазічастинка)|дірки]], [[рекомбінація|рекомбінують]], з випромінюванням [[фотон]]ів.
 
Процес самовільної рекомбінації інжектованих електронів, що відбувається, як в базовій області, так і в самому p-n переході, супроводжується їх переходом з високого енергетичного рівня на більш низький. Електрон після рекомбінації знаходиться у дуже нестабільному стані, оскільки він має зайву енергію (Евх,). В такому стані електрон довго перебувати не може. Він перейде на стаціонарну орбіту з нижчим енергетичним рівнем (Ест.) і випромінить квант світла. Тому Eкв.св. = Eнадл. , Eнадл. = Евх - Ест Щоб кванти енергії – фотони, які вивільнились при рекомбінації відповідали квантам видимого світла збільшують кількість p-n переходів.
 
Не всі напівпровідникові матеріали ефективно випускають світло, при рекомбінації. Гарними випромінювачами є, як правило, прямозонні напівпровідники типу A<sup>III</sup>B<sup>V</sup> (наприклад, GaAs або InP) і A<sup>II</sup>B<sup>VI</sup> (наприклад, ZnSe або CdTe). Варіюючи склад напівпровідників, можна створювати світлодіоди різних довжин хвиль,&nbsp;— від ультрафіолету (GaN) до середнього інфрачервоного діапазону (PbS).
Анонімний користувач