Мікросхема: відмінності між версіями

[неперевірена версія][неперевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
Shynkar (обговорення | внесок)
Немає опису редагування
Oilchenk (обговорення | внесок)
Рядок 15:
Винахід [[мікросхема|мікросхем]] розпочався з вивчення властивостей тонких [[оксид|оксидних]] плівок, що проявляються в ефекті поганої електропровідності при невеликій [[Електрична напруга|електричній напрузі]]. Проблема полягала в тому, що в місці зіткнення двох [[метал|металів]] не відбувалося електричного контакту або він мав полярні властивості. Глибокі вивчення цього феномену привели до винаходу [[діод|діодів]], а пізніше до транзисторів і інтегральних мікросхем.
 
У [[1958]] році двоє учених, що жили в абсолютно різних місцях, винайшли практично ідентичну модель інтегральної схеми. Один з них, Джек Кілбі, працював на [[Texas Instruments]], інший, Роберт Нойс, був одним із засновників невеликої компанії по виробництву напівпровідників [[Fairchild Semiconductor]]. Обох об'єднало питання: «Як в мінімум місця вмістити максимум компонентів?». Транзистори[[Транзистор]]и, [[резистор|резистори]], [[конденсатор|конденсатори]] іта інші деталі у той час розміщувалися на платах окремо, і вчені вирішили спробувати їх об'єднати на одному монолітному кристалі з напівпровідникового матеріалу. Тільки Кілбі скористався [[Германій|германієм]], а Нойс віддав перевагу [[Кремній|кремнію]]. У 1959 році вони окремо один від одного отримали патенти на свої винаходи — почалося протистояння двох компаній, яке закінчилося мирним договором і створенням спільної ліцензії на виробництво чипів. Після того, як в 1961 році Fairchild Semiconductor Corporation пустила інтегральні схеми у вільний продаж, їх відразу стали використовувати у виробництві калькуляторів і комп'ютерів замість окремих транзисторів, що дозволило значно зменшити розмір і збільшити продуктивність.
 
Перша в СРСР напівпровідникова інтегральна мікросхема була розроблена (створена) на основі [[планарна технологія|планарної технології]], розробленої на початку 1960 року в НДІ-35 (потім перейменований в НДІ «Пульсар») колективом, який надалі був переведений в НИИМЭ (Мікрон). Створення першої радянської кремнієвої інтегральної схеми було сконцентроване на розробці і виробництві з метою використання у військовій техніці серії інтегральних кремнієвих схем МС-100 (37 елементів — еквівалент складності схемотехніки тригера, аналога американських ІС серії SN — 51SN51 фірми [[Texas Instruments|Texas Instruments]]). Зразки-прототипи і виробничі зразки кремнієвих інтегральних схем для відтворення були отримані із США. Роботи проводилися НДІ-35 (директор Трутко) і ФрязинськимФрязінським заводом (директор Колмогоров) за оборонним замовленням для використання в автономному висотомірі системи наведення [[Балістична ракета|балістичної ракети]]. Розробка містила шість типових інтегральних кремнієвих планарных схем серії МС-100 і з організацією дослідного виробництва зайняла в НДІ-35 три роки (з 1962 по 1965 рік). Ще два роки пішло на освоєння заводського виробництва з військовим прийманням у Фрязино[[Фрязіно]] (1967 рік).
 
== Рівні проектування ==