Мікросхема: відмінності між версіями
[неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Shynkar (обговорення | внесок) Немає опису редагування |
|||
Рядок 15:
Винахід [[мікросхема|мікросхем]] розпочався з вивчення властивостей тонких [[оксид|оксидних]] плівок, що проявляються в ефекті поганої електропровідності при невеликій [[Електрична напруга|електричній напрузі]]. Проблема полягала в тому, що в місці зіткнення двох [[метал|металів]] не відбувалося електричного контакту або він мав полярні властивості. Глибокі вивчення цього феномену привели до винаходу [[діод|діодів]], а пізніше до транзисторів і інтегральних мікросхем.
У [[1958]] році двоє учених, що жили в абсолютно різних місцях, винайшли практично ідентичну модель інтегральної схеми. Один з них, Джек Кілбі, працював на [[Texas Instruments]], інший, Роберт Нойс, був одним із засновників невеликої компанії по виробництву напівпровідників [[Fairchild Semiconductor]]. Обох об'єднало питання: «Як в мінімум місця вмістити максимум компонентів?».
Перша в СРСР напівпровідникова інтегральна мікросхема була розроблена (створена) на основі [[планарна технологія|планарної технології]], розробленої на початку 1960 року в НДІ-35 (потім перейменований в НДІ «Пульсар») колективом, який надалі був переведений в НИИМЭ (Мікрон). Створення першої радянської кремнієвої інтегральної схеми було сконцентроване на розробці і виробництві з метою використання у військовій техніці серії інтегральних кремнієвих схем МС-100 (37 елементів — еквівалент складності схемотехніки тригера, аналога американських ІС серії
== Рівні проектування ==
|