Магнітоопір: відмінності між версіями

[неперевірена версія][неперевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
Holigor (обговорення | внесок)
Holigor (обговорення | внесок)
Рядок 28:
==Напівпровідники==
У слабких магнітних полях, коли <math> \tau \omega_H \ll 1 </math>, де <math> \tau </math> - [[час релаксації]] носіїв заряду, а <math> \omega_H </math> - [[циклотронна частота]], в напівпровідниках із одним типом носіїв заряду відносну зміну опору в магнітному полі можна оцінити за формулою
:<math> frac{\Delta \rho}{\rho} = \left( \frac{eB}{mc}\right)^2 \frac{ \langle \tau^3 \rangle \langle \tau \langlerangle - \langle \tau^2 \rangle^2}
{\langle \tau^2 \rangle^2} </math>,
 
де час релаксації <math> \tau </math> усереднюється по [[енергія|енергії]]. Якщо час релаксації енергії носія заряду не залежить від енергії, то відносна зміна опору в магнітному полі дорівнює нулю. Але для більшості механізнімів розсіювання носіїв заряду така залежність існує.
 
==Історія==