Са Чжітан (англ. Chih-Tang (Tom) Sah, кит. 萨支唐, {{|н}} листопад 1932, Пекіні, Китай). Сьогодні почесний член відділення Електричної та Комп'ютерної інженерії Університету Флориди.[1]

Са Чжітан
Народився 1932(1932)
Пекін, Китай
Місце проживання США, Китай
Громадянство Американське
Діяльність фізик, викладач університету
Alma mater Стенфордський університет і Іллінойський університет
Сфера інтересів Фізика
Заклад Стенфордський університет
Іллінойський університет
Науковий ступінь доктор філософії
Член Американське фізичне товариство, Китайська академія наук, Академія Сінікаd і Національна інженерна академія СШАd
Відомий завдяки: Надрешітки
Рід Q10565783?
Батько Adam Pen-Tung Sahd
Нагороди

Знайшов популярність в фізиці та техніці відомою моделлю Са при розгляді стандартних МДН-транзисторів, опублікованою в 1964 році.[2][3] Суть моделі Са полягає у спрощенні розгляду режиму сильної інверсії на поверхні напівпровідника, що виникає внаслідок ефекту поля і дозволяє отримати аналітичний розв'язок для вольт-амперних характеристик (ВАХ) МДН-транзисторів. В свою чергу це дозволило осмислено використовувати МДН-транзистори в техніці, бурхливий розвиток якої в 70-ті роки привів до розробки НВІС (надвеликих інтегральних схем), що широко використовуються навіть сьогодні при виробництві мікропроцесорів.

Список нагородРедагувати

  • 2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University
  • 2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA
  • 2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award
  • 2000 — Вибраний в Китайську Академію Наук
  • 1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan
  • 1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award
  • 1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association
  • 1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science
  • 1995 — IEEE Life Fellow
  • 1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois
  • 1989 — IEEE Jack Morton Award
  • 1986 — Вибраний в Американську національну Академію Інженерів
  • 1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society
  • 1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven
  • 1971 — Член Американського Фізичного Товаристства
  • 1969 — Член Американського Інституту з Електрики та Електронної Інженерії (IEEE)
  • 1000 World's Most Cited Scientists, 1865—1978, Інститут наукової інформації

ЛітератураРедагувати

ВиноскиРедагувати

  1. www.ece.ufl.edu/people/faculty/sah.html. Архів оригіналу за 12 листопад 2007. Процитовано 25 квітень 2008. 
  2. C.T.Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)
  3. Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models, B.B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, August 2007.

ПатентиРедагувати

  • 3,204,160 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, August 1965
  • 3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966
  • 3,243,669 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, March 1969
  • Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel
  • 4,343,962 — Oxide Charge Induced High Low Junction Emitter Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982