Відкрити головне меню

БіографіяРедагувати

Народився 2 грудня 1917 р. в Анжеро-Судженську Кемеровської обл. Закінчивши в 1935 р. 9 класів середньої школи, він вступив до Новосибірського інженерно-будівельного інституту. Після року навчання перевівся до Томського державного університету ім. В. В. Куйбишева, який закінчив у 1941 р. і одержав спеціальність фізика, оптика і спектроскопія.

З серпня до грудня 1941 р. працював вчителем фізики у с. Ребриха Алтайського краю, а з грудня того ж року — науковим співробітником Всесоюзного інституту експериментальної медицини. Воював на фронтах Великої Вітчизняної війни (1942-1945).

Повернувшись до Томського університету і закінчивши аспірантуру, він до травня 1950 р. працював науковим співробітником Сибірського фізико-технічного інституту.

Після захисту кандидатської дисертації у вересні 1950 р. перейшов на викладацьку роботу до Томського університету, де спочатку працював доцентом, а після захисту докторської дисертації на тему «Дослідження з фізики спаю», починаючи з жовтня 1961 р. професором, завідувачем кафедри фізики напівпровідників і діелектриків Томського університету.

Був директором, науковим керівником галузевого НДІ Міністерства електронної промисловості СРСР, який він заснував (1964-1968).

З вересня 1968 р. і до останніх днів життя діяльність В. О. Преснова була пов'язана з Одеським державним університетом ім.. І. І. Мечникова (сьогодні — Одеський національний університет імені І. І. Мечникова). Він працював професором кафедри експериментальної фізики (1969), а згодом очолив нову, організовану ним кафедру фізичної електроніки (сьогодні — кафедра фізики твердого тіла і твердотільної електроніки).

Преснов В. О. помер 17 липня 1987 р.

Наукова діяльністьРедагувати

Займався дослідженням властивостей скла і електровакуумної кераміки, особливо з вивчення природи механічно міцного вакуумно-щільного з'єднання скла і кераміки з металом. Результати цих досліджень були покладені в основу докторської дисертації та декількох монографій, які були першим у світовій практиці широким узагальненням праць з дослідження природи механічно міцного вакуумно-щільного з'єднання таких різнорідних матеріалів. Використання їх на практиці дозволили розв'язати проблему створення металокерамічних радіоламп надвисокочастотного (НВЧ) діапазону. У 1954 р. під керівництвом В. О. Преснова була створена лабораторія напівпровідників, на базі якої заснована перша в Сибіру і одна з перших в СРСР проблемна лабораторія і кафедра фізики напівпровідників Томського державного університету, де розроблялися проблеми комплексного дослідження складних напівпровідників. Були проведені широкі дослідження процесів синтезу і кристалізації, електричних властивостей, поверхневих і контактних явищ у напівпровідникових матеріалах. Практичним результатом цієї роботи стало вирішення конкретних задач сучасної мікроелектроніки, розробка нових типів напівпровідникових приладів, створення більш досконалих методів захисту поверхні напівпровідникових приладів і схем.

Проф. В. А. Преснов виховав велику групу дослідників в області фізики напівпровідників і твердотільної електроніки. Під його керівництвом при кафедрі фізики твердого тіла і твердотільної електроніки ОНУ імені І. І. Мечникова була створена галузева науково-дослідна лабораторія фізичних основ електронної техніки (ФОЕТ), завідувачем якої став ст. н. співр. О. П. Канчуковський. Колектив лабораторії налічував понад 200 співробітників. Керівниками дослідницьких груп, в основному, були викладачі кафедри. В лабораторії були проведені широкі дослідження процесів синтезу і кристалізації, електричних властивостей, поверхневих і контактних явищ у напівпровідникових матеріалах.

Вперше в СРСР були синтезовані і досліджені електричні і оптичні властивості напівпровідникових штучних алмазів і кераміки. За праці по створенню НВЧ напівпровідникових приладів удостоєний звання лауреата Державної премії УРСР (1985)[1].

Під його керівництвом захищено понад 60 кандидатських дисертацій, 12 його учнів стали докторами наук. За час наукової діяльності В. О. Преснов написав 6 книг, 340 наукових статей у журналах і інших публікацій, одержав 56 авторських свідоцтв на винаходи.

ПраціРедагувати

  • Основы техники и физики спая / Преснов В. А. , Надворский Ю. Б., Якубеня М. П. — Томск, 1961.
  • Металлокерамический спай в электронной и атомной промышленности / Преснов В. А., Любимов Л. М., Бердов, Г. И. Рубашев М. А. — М. : Атомиздат, 1962.
  • Теоретические основы образования прочного соединения между разнородными веществами / В. А. Преснов, Науч.-исслед. ин-т полупроводниковых приборов (НИИПП). — Томск: Б.и., 1966 . — 16 с.
  • Парамагнитный резонанс мелких акцепторов в GaAs / Преснов В. А. // Физика тверд. тела. — 1967. — Т. 9. 
  • Получение и исследование p-n-переходов на основе синтетических полупроводниковых алмазов / Преснов В. А. // Докл. Акад. наук СССР. — 1976. — Т. 228, № 5. — С. 1080. 
  • Квантовая биоэлектроника: (учебное пособие) / В. А. Преснов ; Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова. — Одесса: ОГУ, 1980. — 112 с.
  • Термостойкие диэлектрики и их спаи с металлом в новой технике / Преснов В. А., Ротнер Ю. М.  – М. : Атомиздат,  1980.

ЛітератураРедагувати

ПриміткиРедагувати

ПосиланняРедагувати