Вікіпедія

Іван Странскі

болгарський хімік

Іван Ніколов Странскі (болг. Иван Николов Странски; нар. 2 січня 1897 — пом. 19 червня 1979) — болгарський фізикохімик, основоположник болгарської школи фізикохімії, який вважається «батьком» вирощування кристалів.

Іван Странскі
болг. Иван Николов Странски
Народився 2 січня 1897(1897-01-02)[1]
Софія, Болгарія[1]
Помер 19 червня 1979(1979-06-19)[1] (82 роки)
Софія, Болгарія[1]
Поховання Waldfriedhof Dahlemd
Країна  Болгарія
Діяльність хімік, викладач університету, фізик
Alma mater Софійський університет Святого Климента Охридського
Галузь фізична хімія
Заклад Берлінський технічний університет
Вроцлавська політехніка
Вільний університет Берліна
Софійський університет Святого Климента Охридського
Науковий ступінь доктор філософії
Членство Леопольдина
Баварська академія наук
Болгарська академія наук
Нагороди
CMNS: Іван Странскі у Вікісховищі

Життєпис ред.

Народився в Софії в родині Ніколи Странскі, придворного аптекаря, і Марії Странскі-Корн, прибалтійської німкені. З калоферського роду Странскі: дід — революціонер і політик Георгій Странскі; двоюрідний брат — ґрунтознавець Іван Тодоров Странски. З дитинства страждав від кісткового туберкульозу, який на той час був невиліковним захворюванням.

Іван Странскі закінчив Першу чоловічу софійську гімназію. Спочатку хотів вивчати медицину, щоб знайти ліки від своєї недуги, однак, провчившись один рік у Відні, розчарувався у своєму виборі. У 1922 році закінчив факультет хімії Софійського університету, в Берліні під керівництвом Пауля Гюнтера захистив докторську дисертацію на тему рентгенівської спектроскопії. У 1925 році обраний доцентом кафедри фізичної хімії фізико-математичного факультету Софійського університету та став першим викладачем фізичної хімії в Болгарії. У 1929 році став ассоціюючим професором, в 1937 році — почесним професором. Читав лекції з фізичної хімії, залучав до роботи таких людей, як Ростислав Каїшев і Любомир Кристанов, з якими здійснював великі дослідження.

У 1930 році завдяки стипендії фонду Рокфеллера Іван Странскі влаштувався на роботу до Берлінського технічного університету, працюючи спільно з Максом Фольмером і Каїшевим. У 1935—1936 роках Каїшев опублікував фундаментальні праці з теорії середніх відділлювальних робіт, а Странскі з Кристановим запропонував принцип вирощування кристалів на підставі іншого кристала. У його роботах було виведено механізм зростання Странскі — Кристанова. У 1935—1936 роках Іван Странскі працював у Радянському Союзі, він очолював кафедру Уральського інституту фізики та механіки в Свердловську.

За пропозицією Вальтера Косселя переїхав до польського Бреслау. Під час дрпугої світової війни займався прикладними розробками (наприклад, запобігання обмерзання німецьких літаків). Повернувся до Берліну наприкінці війни, де працював в інституті фізичної та електричної хімії імені Кайзера Вільгельма. Після арешту Фольмера і його вивезення до СРСР Іван Странскі очолив кафедру фізичної хімії Берлінського технічного університету в Західному Берліні, відновивши заняття в 1945 році. Потім працював деканом факультету загальних та інженерних наук в 1948—1949 роках, а також заступником ректора. У 1953 році очолив інститут Фріца Габера, директорами якого в минулому були Макс фон Лауе й Альберт Ейнштейн.

В 1944 році після приходу до влади Вітчизняного фронту Івана Странскі звільнили з кафедри в Софійському університеті, звинувативши у співпраці з гітлерівцями. Однак стараннями його учнів у 1960-ті роки Странскі був обраний іноземним членом Болгарської академії наук, а в 1967 році вперше після війни приїхав на Батьківщину.

Помер Івана Странскі у 1979 році, похований у Берліні.

Член Геттингенської академії наук (1939), Баварської академії наук (1959), Нью-Йоркської академії наук і Шведської академії наук. Почесний сенатор Берлінського технічного університету Західного Берліна (1962). Ім'я Странскі присвоєно Інституту фізики і хімії Берлінського технічного університету та Інституту металургії в Оберхаузені. Двічі кавалер ордена Кирила і Мефодія, лауреат багатьох міжнародних нагород і премій.

Наукові роботи ред.

Разом з Косселем Странскі заснував молекулярно-кінетичну теорію формування і росту кристалів, першим увів поняття «положення полукристалла». Разом з Ростиславом Каієшвим встановив зв'язок між форматом, структурою і силою міжмолекулярної взаємодії в кристалах на базі молекулярного трактування. Розробив метод середніх відділювальних робіт — молекулярно-кінетичний метод, який зіграв важливу роль у розвитку теорії зародження і росту кристалів. Автор моделі Каїшева — Странскі пошарового росту кристалів, пояснив зв'язок між двовимірним зародкоутворенням й спіральним зростанням кристалів. З Любомиром Кристановим учений вивів механізм росту кристала одного на іншому. У Берліні робота в різних сферах фізичної хімії, переважно теоретичних розробках з практичним додатком: триболюмінісценція, плавлення, разложення уротропіну, електронна емісія кристальних поверхонь (передумова до створення автоемісійного мікроскопа — FEM). Серйозний додаток отримали роботи в галузі металургії, які підвищили ефективності видобутку руди в Західній Німеччині[2][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13].

Бібліографія ред.

  • I. N. Stranski, Zur Theorie des Kristallwachstums, Z. physik, Chem., 136, 259 (1928)
  • I. N. Stranski, D. Totomanow, Die Ostwald'sche Stufenregel, Naturwissenschaften, 20, 905 (1932)
  • I. N. Stranski, L. Krastanov, Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander, Sitzungsber. d. Akad. d. Wissensch. Wien, Math.-naturw. Kl. Abt. IIb, 146, 797 (1938)

Примітки ред.

  1. ↑ а б в г Deutsche Nationalbibliothek Record #118618873 // Gemeinsame Normdatei — 2012—2016.
  2. ↑ а б Surface structures of ionic crystals. Архів оригіналу за 7 грудня 2018. Процитовано 25 квітня 2019.
  3. ↑ Beiträge zur Röntgenspektralanalyse. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  4. ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen: Vortrag, gehalten an der Chalmers Tekniska Högskola, Göteborg, am 16.6.1950. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  5. ↑ Gedenkkolloquium anläßlich des ersten Todestages von Prof. Dr. phil., Dr. h. c. mult. Iwan N. Stranski: Berlin, 18. Juni 1980. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  6. ↑ On structure irregularity in the surface of ionic crystals. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  7. ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. II: Single-crystal surfaces with absorbed foreign atoms. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  8. ↑ Rastitelni otnošenija v Srědnitě Rodopi. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  9. ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. I: pure single-crystal surfaces. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  10. ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  11. ↑ Technische Universität Berlin-Charlottenburg. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  12. ↑ «Katalyse»: Festrede, anlässlich der, Rektoratsübergabe an der Technischen Universität Berlin-Charlottenburg 1951. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.
  13. ↑ Single-crystal surfaces with adsorbed foreign atoms. Архів оригіналу за 28 березня 2019. Процитовано 25 квітня 2019.

Посилання ред.

Отримано з https://uk.wikipedia.org/w/index.php?title=Іван_Странскі&oldid=37538814