Фосфід галію

Фосфід галію (GaP) — непрямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 2,26 еВ, на вигляд блідо помаранчева речовина, безколірна й нерозчинна у воді, що використовується здебільшого для виробництва червоних, оранжевих та зелених світлодіодів.

Фосфід галію
Назва за IUPAC	gallanylidynephosphane
Ідентифікатори
Номер CAS	12063-98-8
PubChem	82901
Номер EINECS	235-057-2
RTECS	LW9675000
SMILES	[Ga]#P
InChI	1/Ga.P/rGaP/c1-2
Властивості
Молекулярна формула	GaP
Молярна маса	100,697 г/моль
Зовнішній вигляд	блідо-оранжеве тверде тіло
Запах	без запаху
Густина	4,138 г/см3
Тпл	1477
Розчинність (вода)	нерозчинний
Показник заломлення (nD)	3,02 (2.48 µм), 3,19 (840 нм), 3,45 (550 нм), 4,30 (262 нм)
Структура
Кристалічна структура	цинкової обманки
Просторова група	T2d-F-43m
Період кристалічної ґратки
Координаційна геометрія	тетраедрична
Небезпеки
Індекс ЄС	не числиться
NFPA 704	1 3 1 W
Пов'язані речовини
Інші аніони	нітрид галію арсенід галію антимонід галію
Інші катіони	фосфід алюмінію фосфід індію
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Фосфід галію має кристалічну структуру типу цинкової обманки. Для отримання провідності n-типу зазвичай використовується легування сульфуром та телуром, а для отримання провідності p-типу — цинком.