Модель Гуммеля—Пуна
Модель Гуммеля—Пуна - математична модель біполярного транзистора, запропонована Гуммелем (англ. Hermann Gummel) і Пуном (англ. H. C. Poon) в 1970 році. До складу моделі входять ідеальні діоди, ідеальні керовані джерела струму, паразитні ємності, опори областей бази, еміттера і колектора.
Модель Гуммеля—Пуна та сучасні її варіанти широко використовуються в популярних програмах, таких як SPICE.
| Позначення | Опис | Одиниця вимірювання | Значення за замовчуванням |
|---|---|---|---|
| AF | Показник степеня надлишкового низькочастотного шуму (флікер-шуму) | - | 1 |
| BF | Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з загальним емітером (β) в активному режимі роботи БТ при прямому включенні в тому випадку, коли допустимо знехтувати залежністю β від струму і напруги на колекторному переході | - | 100 |
| BR | β при інверсному включенні в тому випадку, коли допустимо знехтувати його залежністю від струму і напруги на емітерному переході | - | 1 |
| CN | Показник степеня в температурній залежності параметра RCO | - | 2,43 для n-p-n 2,20 для p-n-p |
| D | Показник степеня в температурній залежності параметра VO | - | 0,52 для n-p-n 0,87 для p-n-p |
| CJE, CJC, CJS | Бар'єрні ємності емітерного, колекторного переходу і переходу підкладки при відсутності зовнішньої напруги на p-n переході | Ф | 0 |
| EG | Ширина забороненої зони | еВ | 1,11 |
| FC | Коефіцієнт, що характеризує діапазон напруги, в якому визначена величина бар'єрної ємності прямозміщеного переходу | - | 0,5 |
| GAMMA | Коефіцієнт, що характеризує ступінь легування епітаксіальної плівки колектора | - | 10 ... 11 |
| IKF | Струм «зламу» залежності IC(VBE)для прямого включення | А | ∞ |
| IKR | Струм «зламу» залежності IE (VBC) для інверсного включення | А | ∞ |
| IRB | Базовий струм, при якому опір бази падає на півдорозі до мінімуму | А | ∞ |
| IS | Струм, що описує перенос неосновних носіїв заряду в базі | А | 1.00E-016 |
| ISE (ISC) | Зворотний струм насичення, обумовлений процесами генерації-рекомбінації в області просторового заряду емітерного (колекторного) p-n переходу | А | 0 |
| ISS | Зворотний струм насичення p-n переходу підкладки | А | 0 |
| ITF | Струм, що описує залежність часу прольоту через базу TF від струму колектора | А | 0 |
| KF | Коефіцієнт надлишкового низькочастотного шуму | - | 0 |
| MJE, MJC | Показник степеня в залежності бар'єрної ємності емітерного і колекторного переходу від зворотної напруги | - | 0,33 |
| MJS | Показник степеня в залежності бар'єрної ємності переходу підкладки від зворотної напруги | - | 0,5 |
| NC | Коефіцієнт неідеальності для ISC | - | 2,0 |
| NE | Коефіцієнт неідеальності для ISE | - | 1,5 |
| NF | Коефіцієнт неідеальності для прямого включення | - | 1,0 |
| NK | Показник степеня в залежності колекторного струму від струмів «зламу» (IKF, IKR) | - | 0,5 |
| NR | Коефіцієнт неідеальності для інверсного включення | - | 1,0 |
| NS | Коефіцієнт неідеальності для p-n переходу колектор-підкладка | - | 1,0 |
| QCO | Множник, що характеризує заряд в епітаксиальному шарі колектора | Кл | 0 |
| QUASIMOD | При QUASIMOD = 0 не враховуються, а при QUASIMOD = 1 - враховуються температурні залежності параметрів GAMMA, RCO, VO | - | 0 |
| RB | Опір бази (макс) при відсутності зовнішньої напруги на p-n переходах | Ом | 0 |
| RBM | Опір бази (мін) при максимальному базовому струмі | Ом | RB |
| RC | Опір напівпровідникової області колектора | Ом | 0 |
| RCO | Опір епітаксиального шару колектора при відсутності зовнішньої напруги на p-n переходах | Ом | 0 |
| RE | Опір напівпровідникової області емітера | Ом | 0 |
| TF, TR | Час прольоту неосновних носіїв заряду через квазінейтральну базу в активному режимі роботи при прямому і інверсному включенні | с | 0 |
| TRB1 | Коефіцієнт, що характеризує лінійну температурну залежність RB | °C-1 | 0 |
| TRB2 | Коефіцієнт, що характеризує квадратичну температурну залежність RB | °C-2 | 0 |
| TRC1 | Коефіцієнт, що характеризує лінійну температурну залежність RC | °C-1 | 0 |
| TRC2 | Коефіцієнт, що характеризує квадратичну температурну залежність RC | °C-2 | 0 |
| TRE1 | Коефіцієнт, що характеризує лінійну температурну залежність RE | °C-1 | 0 |
| TRE2 | Коефіцієнт, що характеризує квадратичну температурну залежність RE | °C-2 | 0 |
| TRM1 | Коефіцієнт, що характеризує лінійну температурну залежність RBM | °C-1 | 0 |
| TRM2 | Коефіцієнт, що характеризує квадратичну температурну залежність RBM | °C-2 | 0 |
| VAF, VAR | Напруга Ерлі при прямому і інверсному включенні | В | ∞ |
| VJE, VJC, VJS | Контактна різниця потенціалів емітерного, колекторного і переходу підкладки | В | 0,75 |
| VO | Падіння напруги на епітаксиальному шарі колектора, при якому ефективна рухливість основних носіїв заряду зменшується в два рази в порівнянні із значенням в слабких електричних полях | В | 10,0 |
| VTF | Напруга, яке описує залежність часу прольоту через базу TF від напруги на колекторному переході | В | ∞ |
| XCJC | Коефіцієнт «розщеплення» ємності колектор-база | - | 1,0 |
| XCJC2 | Коефіцієнт «розщеплення» ємності колектор-база | - | 1,0 |
| XCJS | Коефіцієнт «розщеплення» ємності колектор-підкладка | - | 1,0 |
| XTB | Температурний коефіцієнт параметрів BF і BR | °C-1 | 0 |
| XTF | Коефіцієнт, що визначає залежність часу прольоту через базу TF від величини зміщення (IE, VBC) | - | 0 |
| XTI | Температурний коефіцієнт параметра IS | °C-1 | 3,0 |
